嚴大任教授拓展電漿子光電元件應用前景

　　清大材料系嚴大任教授為美國加州大學洛杉磯分校材料博士，深耕超材料（Metamaterials）、電漿子學（Plasmonics）與奈米元件多年，在紅外和可見光波段電漿子（Plasmonics）光電探測器（Photodetectors）的開發應用上更獲得優異成果。因無適用於紫外線（UV）波段Plasmonics的金屬材料，全球學術界對於更高頻之UV Plasmonics開發上仍束手無策；但嚴大任教授團隊率先利用電漿輔助分子束磊晶製程（PA-ＭBE），在GaN基板上磊晶成長出具有高Plasma Frequency和低Intrinsic Loss的單晶鋁膜，而後於該單晶鋁膜上精心設計一個週期性的奈米孔陣列（epi-Al Plasmonic Nanohole Array），創造局域表面電漿共振效應（Localized Surface Plasmon Resonance）和非凡的穿透效應（Extraordinary Transmission, EOT）；最終實現一個寬頻、高響應速度、且是世界上探測率（Detectivity）最高的紫外光電探測器（Wider, Faster, Stronger!），研究成果刊登於頂尖期刊Advanced Science（影響因子16.806），在微型光電元件的開發上再下一城。

賴志煌教授掌握低功耗記憶體技術再創革新

　　清大材料系賴志煌教授（工學院院長）以不失憶磁性記憶體研究享譽國際，曾獲AUMS獎等多項國際殊榮。日前，賴志煌教授與其研究團隊再次以最新研究「Effect of interfacial spin configuration on y-type spin–orbit torque switching in an antiferromagnetic heavy alloy/ferromagnet bilayer」於知名物理期刊Applied Physics Letters發表論文。該論文深入探討在一個鐵磁反鐵磁偶合的自旋軌道矩元件中，如何利用磁性結構的變化以及界面自旋組態的操控，大幅降低磁翻轉所需之臨界電流大小，讓製造記憶體朝更低功耗邁進。此外，其研究團隊更利用異向性磁阻的量測方法，有效探測水平式磁矩的翻轉，在鑑定方法上創造重大革新；該量測方式將使得未來的水平式自旋軌道矩元件的量測不再受限於結構設計與尺度微縮，讓量測應用更加廣泛。